- SK Hynixは、カリフォルニアのサンタクララコンベンションセンターで開催されたFuture of Memory and Storage（FMS）展示会で、新世代のメモリとストレージ技術を展示。
- 展示前に、新しい12層HBM3Eメモリモジュールや2025年上半期に出荷予定の321層1Tb TLC NANDなど、一部の製品を予告。
- SK HynixはAIメモリソリューションの進化を強調し、PC向けのPCB01 SSD製品ラインなどの製品を紹介。
- Unoh Kwon氏とChunsung Kim氏が「AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era」と題した基調講演を行い、AI実装に最適化された製品ポートフォリオなどを紹介。
- SK Hynixは、米商務省から最大4.5億ドルの直接資金援助を受けることになり、さらに最大5億ドルのローン支援がHBM生産とAIサプライチェーンセキュリティ向上のために提供される。
SK HynixはNANDフラッシュとDRAMの主要プロバイダーとして位置づけられており、そのNANDとHBMの革新は次世代のAIハードウェアの構築を支援することになる。AIワークロードは非常にメモリ集約型であり、それがAI対応ハードウェアの進化における要石となる。
Justin Kim氏は、「AI時代の幕開けに伴い、パフォーマンスを向上させるための複数の製品の組み合わせであるメモリソリューションの重要性が高まっており、単一のDRAMやNAND製品よりも重要性が増している」と述べた。