- NEO Semiconductorが3D X-AI™チップ技術を発表
- 3D X-AIはHBM内でAI処理を可能にし、データバスのボトルネックを解消
- 3D X-AI技術により、AIチップの性能を100倍向上し、消費電力を99%削減可能
- 1つの3D X-AIダイは128Gb容量の300層の3D DRAMセルと8,000ニューロンのニューラル回路を含む
- NEO SemiconductorはFMSで技術を展示し、Andy Hsuが基調講演を行う
NEO Semiconductorの3D X-AI技術は、AIチップの性能向上と消費電力削減に革新をもたらす可能性があります。HBM内でのAI処理により、データバスの制約を減少させ、新たなAIアプリケーションの開発を加速することが期待されます。
元記事: https://www.design-reuse.com/news/56608/neo-semiconductor-3d-x-ai-chip.html