インフィニオン、新たに追加されたCoolSiC MOSFETでAIサーバーをターゲットに – ニュース

要約:

• Infineonは、CoolSiC Gen 2ラインアップを拡大し、低電圧向けに開発されたMOSFETを追加。
• 新しいデバイスは、650 Vおよび1,200 Vクラス向けの低抵抗MOSFETに加わり、設計者が効率性と熱性能を最大化するMOSFETを選択できる。
• CoolSiC Gen 2 400 VクラスのMOSFETは、設計者により多くの選択肢を提供し、幅広い電力電子設計に利用できる。
• 新たなCoolSiC Gen 2ポートフォリオの最新追加品は、650 Vまたは1,200 V MOSFETの堅牢さが不要な設計者向けに、効率性と体積パワー密度を要求するアプリケーションに向けてオン抵抗を改善。
• 400 VクラスのCoolSiC Gen 2 MOSFETは、10種類のバリエーションで利用可能で、TOLLまたはD2PAK-7パッケージで11〜45 mΩのオン抵抗を持ち、最大144 Aの電流引き込みに対応。

感想:

InfineonのCoolSiC Gen 2ポートフォリオの拡充は、低電圧向けの新しいMOSFETを提供することで、設計者にとって効率性と熱性能を重視した選択肢を提供している。特に、400 VクラスのMOSFETは、オン抵抗の改善や熱性能の向上により、効率性の高いアプリケーションに適している。また、電力供給ユニットの参照設計において、400 VクラスのMOSFETを使用することで、最大効率が向上し、無駄な電力が削減されることが報告されている。